据了解，德国企业博世目前正在研发碳化硅（SiC）半导体，用以进一步提升电动车的能源使用效率，预计该半导体材料将于2020年开始投产。

碳化硅被业界普遍认为是下一代功率半导体材料，它具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势。相比如今的IGBT功率半导体，它的发热更低，效率更高，节省的能耗能够为电动车带来约6%的续航里程提升。

如今，电动车企普遍依靠提升电池容量的方式来增加续航里程，然而受限于电池技术的发展速度以及成本，电动车企已经很难再通过此方法获得显著的续航提升，且要面临较高的安全风险。在这样的背景下，如何提升电动车的能源使用效率，降低能耗成为业界提升电动车续航的另一个思路。目前，特斯拉在Model 3以及新款Model S、Model X车型的驱动系统电控单元上，率先采用了碳化硅半导体，并带来了出色的能耗表现。博世或许正是看到了碳化硅半导体长远的发展前景，所以开始着力研发碳化硅半导体，但它也存在制造成本过高的问题，有待制造商解决。